RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
60
Около 60% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
60
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link