RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2938
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link