RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2938
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
UMAX Technology 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link