RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3232
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link