RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3232
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link