RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
81
Wokół strony 70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
81
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1634
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link