RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3625
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link