RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3625
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link