RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3145
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link