RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
55
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
55
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2302
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link