RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
55
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
55
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2302
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link