RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3440
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link