RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
69
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1980
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link