RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2656
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link