RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2656
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link