RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3505
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link