RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
74
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
74
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
1779
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link