RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
74
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
74
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
1779
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link