RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
75
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
75
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1717
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link