RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
75
Intorno 68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
75
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1717
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link