RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link