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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
35
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
35
Velocità di lettura, GB/s
16.0
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
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