RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3137
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link