RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3297
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-2400 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link