RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3297
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kllisre 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link