RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2129
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link