RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link