RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
66
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
49
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2534
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link