RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Porównaj
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2455
2863
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link