RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
24
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3665
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link