RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3665
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link