RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3415
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link