RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3033
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link