RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Porównaj
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
69
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
69
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.1
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3419
1598
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link