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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Compara
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Puntuación global
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
69
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
6.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
13.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
69
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.1
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3419
1598
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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