RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3435
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link