RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3435
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link