RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2924
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link