RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
68
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
68
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2037
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link