RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
68
Por volta de 65% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
68
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2037
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link