RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
61
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
61
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2136
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link