Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 61

周辺 61% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 8.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 17000

周辺 1.13% 高帯域

Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

17.9 16

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 61
読み出し速度、GB/s

16.0 17.9
書き込み速度、GB/秒

12.5 8.5
メモリ帯域幅、mbps

19200 17000

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 2136

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB

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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

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A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB

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Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB

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Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB

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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB

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