RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link