RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link