RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2820
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link