RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2846
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link