RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3334
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link