RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3334
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link