RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3072
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link