RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2199
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link