RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3314
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link